Nowy rekord pamięci DRAM

(Tadeusz Stasiuk)
04-12-2006, 08:16

Południowokoreański producent mikroprocesorów Hynix Semiconductor, stworzył najszybszą jak do tej pory 512-Mb mobilna pamięć DRAM. Układ pracuje z częstotliwością 200MHz i w ciągu sekundy jest w stanie przetransferować 1,6 GB danych, co jest wielkością około półtora razy szybszą od dotychczasowego rekordu. Układy znajda zastosowanie głównie w telefonach komórkowych.

Południowokoreański producent mikroprocesorów Hynix Semiconductor, stworzył najszybszą jak do tej pory 512-Mb mobilna pamięć DRAM. Układ pracuje z częstotliwością 200MHz i w ciągu sekundy jest w stanie przetransferować 1,6 GB danych, co jest wielkością około półtora razy szybszą od dotychczasowego rekordu. Układy znajda zastosowanie głównie w telefonach komórkowych.

WST, XFN

© ℗
Rozpowszechnianie niniejszego artykułu możliwe jest tylko i wyłącznie zgodnie z postanowieniami „Regulaminu korzystania z artykułów prasowych” i po wcześniejszym uiszczeniu należności, zgodnie z cennikiem.

Podpis: (Tadeusz Stasiuk)

Najważniejsze dzisiaj

Polecane

Inspiracje Pulsu Biznesu

Puls Biznesu

Inne / Nowy rekord pamięci DRAM